Université de Bordeaux
LabEx LAPHIACluster of Excellence
Cluster of excellence

2 PhD Positions @ IMS / CNES

(in french)

1 / Stimulation laser pulsé pour la simulation de l’effet des radiations sur les composants grand gap (GaN sur Silicium)

2 / Injection de fautes dans les composants VLSI avancés par techniques optiques pour l’expertise en analyse de défaillance, la tolérance aux SEE et la sécurité des données

Created Monday 19 February 2018
2 PhD Positions @ IMS / CNES

Sujet de thèse IMS/CNES

Stimulation laser pulsé pour la simulation de l’effet des radiations sur les composants grand gap (GaN sur Silicium)

L’utilité de la stimulation laser pulsé pour la génération d’évènements singuliers sur les composants en technologies silicium bulk a déjà été prouvée depuis de nombreuses années et les études dans ce domaines se poursuivent pour tenter une corrélation entre les effets produits sous laser et ceux produits sous particules énergétiques. La démocratisation des transistors de puissance en technologie nitrure de gallium sur silicium (GaN sur Si) permet un très fort développement de systèmes de gestion de la puissance basés sur ces nouveaux composants permettant une meilleure tenue en température, une réduction des dimensions, et le passage de puissance plus importantes.

L’étude du comportement de ces transistors sous ions lourds est également d’un grand intérêt pour les applications spatiales, et tous moyens permettant d’améliorer leurs performances est bénéfique pour l’essor de cette technologie. C’est dans ce cadre-là que l’IRT Saint-Exupery, l’IMS et le CNES souhaite lancer une thèse commune sur l’étude des techniques lasers SPA (Single photon Absorption) et TPA (Two-Photon Absorption) dédiées à la génération d’évènements singuliers (SEE Single Event Effect) dans des composants GaN sur silicium.

Les travaux auront pour but de déterminer si ces 2 approches permettent la génération de porteurs dans les composants, et de déterminer la plus efficace. Des simulations numériques pourront également être réalisées afin de déterminer les meilleurs paramètres expérimentaux.

Compte-tenu des moyens lasers et de l’expertise déjà présente à l’IMS (université de Bordeaux) dédiés à ce genre d’étude, la thèse se déroulerait dans leur laboratoire, avec le support des laboratoires d’expertise du CNES et de l’IRT Saint-Exupéry à Toulouse.

Laboratoire d'accueil : Laboratoire IMS Correspondant IMS : frederic.darracq@u-bordeaux.fr Responsable Cnes de l'offre : BASCOUL Guillaume

Pour postuler à cette offre, nous vous invitons à vous rapprocher du correspondant IMS avant le 31 mars 2018.

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Sujet de thèse IMS/CNES

Injection de fautes dans les composants VLSI avancés par techniques optiques pour l’expertise en analyse de défaillance, la tolérance aux SEE et la sécurité des données

Le CNES et le laboratoire IMS de l’université de Bordeaux utilisent depuis maintenant une quinzaine d’années différentes techniques optiques pour réaliser des investigations sur les composants microélectroniques et notamment certaines basées sur la perturbation du circuit intégré par un laser. Les techniques de stimulation laser ont montrés leurs intérêts dans plusieurs domaines d’investigation tels que l’analyse de défaillance, la sécurité de l’information ou la simulation de l’effet des radiations. En 15 années les composants ont fortement évolués et les plateformes optiques se sont également vues transformées par de nouvelles optiques permettant d’obtenir d’avantage de résolution ou de nouveaux lasers.

L’objectif de ce travail de thèse serait de poursuivre le développement des techniques de stimulation laser sur les composants silicium en technologie 28nm. La thèse serait orientée sur l’aspect simulation de l’effet des radiations sur des composants avancés, en s’intéressant :

•à l’impact du laser sur les structures du composant (invasivité),
•en testant différents types de laser (longueur d’onde, largeur de pulse,...)

•en regardant l’effet de l’amincissement de l’épaisseur du substrat sur les résultats des essais,

•en s’intéressant à l’influence de l’inclinaison des structures par rapport au faisceau laser, •en effectuant des comparatifs avec des essais effectués sous radiation réelles.

Cette étude donnera les clés permettant de comprendre l’impact des différents paramètres et apportera une amélioration de l’analyse des faiblesses des composants avancés.

Les travaux de thèse pourront s’étendre au-delà du périmètre des radiations en fonction de l’avancé du travail et de la disponibilité de pièces de test pour s’intéresser à l’impact du laser sur des composants pourvu de système de protection des données, ou encore s’intéresser à d’autres technologies que le silicium.

Laboratoire d'accueil : Laboratoire d’analyse du Centre spatial du CNES à Toulouse Correspondant IMS : frederic.darracq@u-bordeaux.fr
Responsable Cnes de l'offre : BASCOUL Guillaume

Pour postuler à cette offre, nous vous invitons à vous rapprocher du correspondant IMS avant le 31 mars 2018.



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